兵器工業集團兩項技術入選2022年“科創中國”先導技術榜 |
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近(jin)日，中國(guo)科協發布2022年“科創中國(guo)”系列榜單遴選(xuan)結果，中國(guo)兵器工業集團微電子院“高(gao)性(xing)能MOEMS晶(jing)圓制(zhi)造技(ji)(ji)術(shu)”、西安近(jin)代(dai)化學研究(jiu)所“原子層(ceng)沉積（ALD）納(na)米制(zhi)造技(ji)(ji)術(shu)”入選(xuan)“科創中國(guo)”先導(dao)技(ji)(ji)術(shu)榜（產業基礎領域）。 高性能MOEMS晶圓制造技術 微電子院(yuan)突破高性能MOEMS晶圓制造系列關(guan)鍵技術，多項技術和(he)產品填補國內空白，建立了(le)國際先進、具(ju)有自主知識產權的(de)技術體系，實現了(le)光(guang)衰減器(qi)、光(guang)開關(guan)陣列、可調光(guang)濾波器(qi)、MOEMS掃(sao)描(miao)鏡等產品的(de)研發生產，這些產品是光(guang)交叉、智(zhi)(zhi)能光(guang)束控制和(he)掃(sao)描(miao)成像的(de)核心芯片，在(zai)5G通(tong)信、無人駕(jia)駛、智(zhi)(zhi)慧工業等領域具(ju)有廣(guang)闊的(de)應(ying)用前景，為國家發展(zhan)戰(zhan)略性新(xin)興(xing)產業提供重要(yao)支(zhi)撐。 原子層沉積（ALD）納米制造技術 原子(zi)層(ceng)(ceng)(ceng)沉(chen)積（ALD）是一種(zhong)先進(jin)的薄(bo)膜(mo)沉(chen)積與(yu)納(na)米(mi)結構制造(zao)(zao)技(ji)術，借助該(gai)技(ji)術可對物(wu)質表面(mian)(mian)(mian)組成及(ji)結構進(jin)行原子(zi)層(ceng)(ceng)(ceng)面(mian)(mian)(mian)的精確(que)操縱，在材(cai)料(liao)表面(mian)(mian)(mian)引(yin)入特定的物(wu)理或(huo)化(hua)學性質，實(shi)現多種(zhong)納(na)米(mi)材(cai)料(liao)的高精度(du)可控合成。西安(an)近(jin)代化(hua)學研究所原子(zi)層(ceng)(ceng)(ceng)沉(chen)積表面(mian)(mian)(mian)工程(cheng)與(yu)納(na)米(mi)制造(zao)(zao)技(ji)術團隊具備(bei)開展ALD先進(jin)設備(bei)及(ji)工藝研發(fa)、高水平基礎(chu)研究以及(ji)工程(cheng)化(hua)應用能(neng)力，通過(guo)自主(zhu)創新(xin)，初步(bu)實(shi)現了ALD先進(jin)設備(bei)及(ji)相(xiang)關技(ji)術產業化(hua)，并(bing)且開創性地將ALD技(ji)術成功應用于多個研究方向，成為推動我國(guo)ALD技(ji)術發(fa)展的中堅力量。 據了解，“科創中國(guo)”榜(bang)單由中國(guo)科協(xie)設(she)立，旨在通(tong)過(guo)優選引(yin)(yin)領人物、新(xin)(xin)銳企業及先導(dao)技術(shu)，引(yin)(yin)導(dao)探索(suo)技術(shu)服務與交易新(xin)(xin)業態、新(xin)(xin)組織、新(xin)(xin)模式(shi)，激活創新(xin)(xin)引(yin)(yin)領的合(he)作動能(neng)，為實現(xian)高水平(ping)科技自立自強(qiang)提(ti)供支(zhi)撐(cheng)。 來源/微電子院(yuan)、西安近(jin)代(dai)化學研究所 |
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